SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Puntuación global
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 20.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    18 left arrow 68
    En -278% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    17.2 left arrow 1,670.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 5300
    En 3.62 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    68 left arrow 18
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,554.9 left arrow 20.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,670.7 left arrow 17.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    513 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones