RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Compara
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
63
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
1,583.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,895.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,583.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
639
3288
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link