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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
94
En 70% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
94
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
1699
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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