RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3402
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link