RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2652
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link