RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
63
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
44
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2374
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link