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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2768
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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