RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Compara
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
68
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,944.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,973.0
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,944.9
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
673
3772
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link