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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3137
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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