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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
20.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3963
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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