RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2913
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link