RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
50
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3510
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link