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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
50
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3419
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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