TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Puntuación global
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Puntuación global
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takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    870.4 left arrow 1,500.2
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    47 left arrow 87
    En -85% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    87 left arrow 47
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,155.6 left arrow 4,705.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    870.4 left arrow 1,500.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    417 left arrow 460
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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