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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
53
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
2399
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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