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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
79
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
79
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
1651
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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