RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
53
En -89% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3409
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link