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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
3178
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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