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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Compara
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Puntuación global
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2180
2458
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
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