Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Puntuación global
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Puntuación global
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    52 left arrow 96
    En -85% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 1,336.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    96 left arrow 52
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,725.2 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,336.0 left arrow 10.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    438 left arrow 2472
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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