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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1381
3046
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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