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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
2126
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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