RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
94
Autour de -395% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
19
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3521
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link