RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
94
Autour de -327% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
22
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3515
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link