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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
94
Autour de -327% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
22
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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