RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
56
Autour de -14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
49
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
2413
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link