RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
58
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
58
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
1998
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link