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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
66
Autour de -113% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3755
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
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Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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