RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
84
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
84
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
1486
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link