RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
76
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
76
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
1260
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link