RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
66
Autour de -187% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3156
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link