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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
66
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2264
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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