RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3439
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB Comparaison des RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link