RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.4
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1424
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link