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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
46
Autour de -21% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
2363
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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