RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Comparez
AMD AE34G1601U1 4GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Note globale
AMD AE34G1601U1 4GB
Note globale
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD AE34G1601U1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
68
Autour de 1% latence réduite
Raisons de considérer
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD AE34G1601U1 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
67
68
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
998
1925
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link