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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
AMD AE34G1601U1 4GB
Note globale
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD AE34G1601U1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
95
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
67
95
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
998
1518
AMD AE34G1601U1 4GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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