RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
25
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
25
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2989
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link