RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
AMD R538G1601U2S 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
31
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
19
31
Vitesse de lecture, GB/s
18.4
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.3
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3189
2361
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link