RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
AMD R744G2400U1S-UO 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
66
Autour de -78% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1912
2389
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL9 Series-XP 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link