RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
71
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
1956
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link