RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de 58% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
62
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2710
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link