RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
4033
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link