RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2264
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link