RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de 56% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
62
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
1808
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link