Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Note globale
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    20 left arrow 31
    Autour de 35% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    21.4 left arrow 19.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    16.2 left arrow 13.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    20 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    19.1 left arrow 21.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    13.1 left arrow 16.2
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    3252 left arrow 3809
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons