RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparez
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Note globale
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
45
Autour de 62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
17
45
Vitesse de lecture, GB/s
22.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
15.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2925
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Comparaison des RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link