RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2545
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link