RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Comparez
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de -42% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2636
2191
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Comparaison des RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link