RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2601
2713
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link